原标题:摩尔定律放缓 石墨烯3D芯片能延续美半导体荣光

1月20日,顶级科学杂志《Nature》刊登了北京大学教授彭练矛和物理电子学研究所副所长张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破:首次制备出5纳米栅长高性能碳纳米管晶体管,并证明其性能超越同等尺寸硅基CMOS场效应晶体管,将晶体管性能推至理论极致。

2016年对半导体行业来说是风起云涌。为了度过难关,各大企业不是一头扎进了疯狂的并购潮,就是加大力度进行技术研发。今天就让我们来看一看2016年半导体材料都发生了哪些突破。

拜伟大的摩尔定律所赐,几十年来微芯片技术一次又一次地突破了工艺极限,现在英特尔的第三代Core
i系列处理器已经用上了22纳米工艺,英特尔还认为到2020年这个数字还可以缩小到5纳米。但是到那时,硅基芯片的物理极限就很可能成为不可逾越的障碍。因此,人们的唯一出路就是使用另一种技术来制造处理器。人们也一直在努力寻找能够替代当前硅芯片的物质,碳纳米管(CNT)就是主要的研究方向之一,而现在,IBM的研究人员现在已经将碳纳米管芯片技术向前推进了一大步。

自从特朗普把”美国优先”树立为美国政府制定政策的标准以来,美国的各个产业部门都应景地涌现出”使美国再次伟大”的方案和计划来,其中自然少不了电子行业。美国国防高级研究计划局(DARPA)作为美国军用技术研究主要管理部门适时地启动了电子复兴计划。

2月27日,央视新闻频道播出了专题节目《神奇的石墨烯》,(石墨烯上CCTV啦!新闻频道专题节目《石墨烯到底有多神奇?》(附视频)),节目中提到,石墨烯有望替代硅,成为下一代芯片的主要材料。利用石墨烯制造新一代器件,也有望让我国的芯片制造业实现弯道超车,达到国际先进水平。

一、硅基导模量子集成光学芯片研制成功

碳纳米管是一种非常小的管状六边形结构碳原子。IBM日前宣布,他们的一个八人研究团队已经找到一种能够准确地将它们放在电脑芯片上的方法。这种方法能比以前的方法排列的碳纳米管要密集100倍,是减少芯片制造成本最关键的一步,而且IBM已经制造出一块用1万个碳纳米管晶体管的芯片。

该计划旨在团结美国的产业界和学术界,以重振美国略显颓势的芯片产业。因其宣称将改变微电子行业的生产方式,所以有的媒体也鼓吹美国的电子复兴计划将引发第二次电子革命。

众所周知,全球的集成电路产业一直在摩尔定律的“照耀”下沿着硅基的路线前行,但当主流的CMOS技术发展到10纳米技术节点之后,后续发展越来越受到来自物理规律和制造成本的限制,摩尔定律有可能面临终结。20多年来,科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术,期望替代硅基CMOS技术,但到目前为止,并没有机构能够实现10纳米的新型器件,并且也没有新型器件能够在性能上真正超过最好的硅基CMOS器件。

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一旦现在的硅晶体管技术发展到了尽头之后,这项新的技术有望帮助碳纳米管成为硅的替代品。现在的芯片是由一个个极小的电子开关,即晶体管组成的,而碳纳米管则会替代在这些晶体管里输送电流的硅通道。

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碳基超越硅基?

7月份,中国科技大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室任希锋研究组与浙江大学戴道锌教授合作,首次研制成功硅基导膜量子集成芯片,他们在硅光子集成芯片上利用硅纳米光波导中不同的能量传输模式,作为量子信息编码的新维度,实现了单光子态和量子纠缠态在偏振、路径、波导模式等不同自由度之间的相干转换,其干涉可见度均超过90%,为集成量子光学芯片上光子多个自由度的操纵和转换提供了重要实验依据。

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美国的这一计划分为三个部分:

2005年,国际半导体技术线路图(ITRS)委员会首次明确指出在2020年前后硅基CMOS技术将达到其性能极限。后摩尔时代的集成电路技术的研究变得日趋急迫,很多人认为微电子工业在走到7纳米技术节点之后可能不得不面临放弃继续使用硅材料作为晶体管导电沟道。在为数不多的可能替代材料中,碳基纳米材料被公认为最有可能替代硅材料。

二、首个打破物理极限的1nm晶体管诞生

IBM的技术可以在两个电触头之间排列单个或一对碳纳米管。碳纳米管连接两端的源极和漏极,是制造晶体管最基本的部分。

一类关乎设计,包括:电子智能资源(IDEA)和先进开源硬件(POSH),主要涉及到降低设计成本的问题。

2008年ITRS新兴研究材料和新兴研究器件工作组在考察了所有可能的硅基CMOS替代技术之后,明确向半导体行业推荐重点研究碳基电子学,作为未来5~10年显现商业价值的下一代电子技术。美国国家科学基金委员会(NSF)十余年来除了在美国国家纳米技术计划中继续对碳纳米材料和相关器件给予重点支持外,在2008年还专门启动了“超过摩尔定律的科学与工程项目”,其中碳基电子学研究被列为重中之重。其后美国不断加大对碳基电子学研究的投入,美国国家纳米计划从2010年开始将“2020年后的纳米电子学”设置为3个重中之重的成名计划(signatureinitiatives)之一。除美国外,欧盟和其他各国政府也高度重视碳纳米材料和相关电子学的研究和开发应用,布局和继续抢占信息技术核心领域的制高点。

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碳纳米管具有硅的半导体特性,而这种特性是它成为芯片晶体管的关键。当接通电流时它们有极好的传输电子的能力。但是芯片制造者必须找出一种可以大规模的非常精确地排列碳纳米管的方法,这样的电脑芯片才有可能走向实用阶段。

一类关乎计算机体系结构,包括:软件定义硬件(SDH)和区域片上系统(DSSoC),主要关注硬件与软件之间独立性和兼容性的问题。

碳纳米管材料中,最有可能替代硅的有两个,碳纳米管和石墨烯。在石墨烯获得诺贝尔奖之前,碳纳米管一直被认为是最有可能代替硅的半导体材料,而如今,由于石墨烯在全球范围内的狂热,似乎有代替碳纳米管之势,那么,石墨烯和碳纳米管,究竟谁能堪当大任呢?

10月7日对于普通人来说可能没有什么意义,但对于计算机技术界来说绝对是一个值得纪念的日子。据外媒报道,劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。

IBM日前在《自然纳米技术》发布的研究报告称,结合化学方法,他们可以将单个的碳纳米管放置在他们想要放的特殊的沟道里。而且在构造碳纳米管场效应装置(CNTFET)时,能够达到每平方厘米10亿个纳米管的密度。

最后一类关注整合材料的问题,即制造芯片材料的整合问题,包括3D片上系统(3dSoC)和新计算基础需求分析(FRANC)。

碳纳米管集成电路的研发优势与发展现状

三、碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管

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第一批入围该项目资助的有来自于全美国的43个团队,其中来自麻省理工学院Max
Shulaker团队独得6100万美元位列第一,而这一数字也远高于同为研究3DSoC的佐治亚理工学院团队的310万美元。目前该团队主要的研究内容是将石墨烯材料用于制作碳纳米晶体管,并构造出3D芯片来。据称该团队的研究内容将有望以更低的成本实现50倍计算性能的提升。

1991年,日本NEC公司的饭岛澄男在高分辨透射电子显微镜下检验石墨电弧设备中产生的球状碳分子时,意外发现了由碳分子组成的管状同轴纳米管,也就是现在被称作的碳纳米管CNT,又名巴基管。

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IBM研究者检查有碳纳米管的芯片晶片。晶圆的表面有两种物质,分别是二氧化硅和二氧化铪,二氧化铪形成的沟道能够吸引碳纳米管附着,而二氧化硅则不能。

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碳管材料具有极为优秀的电学特性。室温下碳管的n型和p型载流子(电子和空穴)迁移率对称,均可以达到10000cm2/(V?s)以上,远超传统半导体材料。另外碳管的直径仅有1~3nm,更容易被栅极电压非常有效开启和关断。

美国研究人员于9月6日宣布,他们成功制备出一种碳纳米晶体管,其性能首次超越现有硅晶体管,有望为碳纳米晶体管将来取代硅晶体管铺平道路。硅是目前主流半导体材料,广泛应用于各种电子元件。但受限于硅的自身性质,传统半导体技术被认为已经趋近极限。碳纳米管具有硅的半导体性质,科学界希望利用它来制造速度更快、能耗更低的下一代电子元件,使智能手机和笔记本电脑等设备的电池寿命更长、无线通信速率和计算速度更快。但长期以来,碳纳米管用作晶体管面临一系列挑战,其性能一直落后于硅晶体管和砷化镓晶体管。美国威斯康星大学麦迪逊分校的研究人员在美国《科学进展》杂志上介绍了他们克服的多重困难。

“这种能精确整齐地放置单个纳米管的能力使制造出大量单-CNT晶体管成为可能。”论文中的研究者提到,“使用这种放置方法,我们制造出了CNTFET阵列,并且在一个芯片上放置了一万多个碳纳米管。”

(该团队在3DSoC分项中获得了绝大多数赞助)

碳纳米管相对于硅材料的优点:

四、“石墨烯之父”发现比石墨烯更好的半导体——硒化铟(InSe)

整个制造过程需要用到多种技术。第一步是准备晶圆(wafer)。晶圆是生产集成电路用的载体,此过程与现在的传统微处理器所使用的相同。在其上表面涂有两层物质,第一层是二氧化铪,在这上面再涂一层特殊的二氧化硅,使得二氧化铪能够有一部分暴露在外面,这个部分就是要与碳纳米管结合的沟道。然后在二氧化铪上涂上一层非常薄的化学材料NMPI。

大投资、新材料加上号称数量级的性能提升为这支石墨烯3D芯片团队赚足了眼球。国内也有不少公众号转发了这一消息,有的更将其称之为”美国电子复兴计划中的绝对核心”,并称该类芯片将在人工智能领域大显身手。那么我们不禁要问,石墨烯3D芯片是什么?真的有这样的威力吗?

1)载流子输运是一维的。这意味着减少了对载流子散射的相空间,开辟了弹道输运的可能性。相应地,功耗低。

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下一步是准备碳纳米管。它们被包裹在一种类似肥皂的表面活性剂(十二烷基硫酸钠)里,将它们溶在水中,然后将晶圆浸入溶液中。

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